文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN200920072232.2

申 请 日：20090514

发 明 人：甘志银 王亮 胡少林 陈倩翌 朱海科 严晗

申 请 人：广东昭信半导体装备制造有限公司

申请人地址：528251 广东省佛山市南海区平洲沙尾工业西区南港大街C栋一楼厂房

公 开 日：20100217

公 开 号：CN201406468Y

代 理 人：汤喜友

代理机构：广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋口、衬底载片台、石墨盘、电极，其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备的喷淋口上增设上电极，在石墨盘侧边或底边增设下电极，上电极与下电极构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场，可以调节和控制半导体外延薄膜生长极性。本实用新型的优点是利用恒定或者交变的电场或磁场对生长中的III族氮化物材料极性程度进行调节，同时赋予掺杂原子额外能量，获得高载流子浓度的掺杂III族氮化物薄膜材料。本实用新型的设备通过引入电场和磁场提高III族氮化物外延材料掺杂效率，对样品无污染，而且成品率高，可应用在大规模生产中。

主 权 项：1.一种电磁场辅助的金属有机物化学气相沉积设备，包括：反应腔、喷淋口、喷淋冷却液体进口、衬底载片台、石墨盘、石墨盘支承轴、电极，其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备的喷淋口上增设上电极，在石墨盘侧边或底边增设下电极，上电极与下电极构成平板电容结构，形成垂直于衬底表面的电场。

关 键 词：电极  金属有机物化学气相沉积设备  电场 石墨  喷淋  掺杂  半导体外延  氮化物薄膜  氮化物材料  氮化物外延  电场和磁场  载流子浓度 薄膜生长 材料掺杂  衬底表面  极性程度  平板电容  电磁场 成品率  对生长  反应腔  侧边  衬底  载片  磁场 辅助  

IPC专利分类号：C23C16/18(20060101);C23C16/34(20060101);C23C16/44(20060101)