文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201020022576.5

申 请 日：20100115

发 明 人：王毅 施立秋 沈克强 蒋李望

申 请 人：扬州扬杰电子科技有限公司

申请人地址：225008 江苏省扬州市平山堂北路江阳工业园创业园三期扬杰电子科技

公 开 日：20101020

公 开 号：CN201611660U

代 理 人：奚衡宝

代理机构：11278 北京连和连知识产权代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：金属氧化物场效应二极管及MOS二极管。涉及一种二极管元胞以及由多个元胞集成的二极管芯片。以硅片为基材，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；源N+区、P+区和P阱区均设于高阻区的上部；正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；栅极和源极相互短接；源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及高阻区相连。本实用新型中通过MOS工艺集成的MOS二极管它包含至少二个所述一种金属氧化物场效应二极管，相互并联集成于所述硅片上。本实用新型的产品速度快，频率高。

主 权 项：1.金属氧化物场效应二极管，以硅片为基材，其特征在于，它包括栅、源、漏、源N+区、漏N+区、P+区、P阱区、正极片和负极片；源N+区的顶面为源极，漏N+区的底面为漏极，栅的顶面为栅极；所述硅片设有上、下两层，上层为高阻区，下层为漏N+区；所述源N+区、P+区和P阱区均设于所述高阻区的上部；所述正极片设于硅片顶面，负极片设于漏N+区的底面；所述栅极和源极相互短接；所述源N+区同栅、P+区、P阱区及正极片相连；P+区还同P阱区及正极片相连；P阱区还同栅及所述高阻区相连。

关 键 词：二极管 正极片  硅片  顶面  金属氧化物 场效应 负极片  底面  元胞 源极  二极管芯片 并联集成  产品速度  工艺集成  短接 基材  漏极  上部  下层  上层  

IPC专利分类号：H01L29/861(20060101);H01L27/08(20060101)