文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201020546652.2

申 请 日：20100929

发 明 人：吴英 向毅 江永清 李斌 周兆英

申 请 人：重庆科技学院

申请人地址：401331 重庆市沙坪坝区虎溪大学城重庆科技学院

公 开 日：20110601

公 开 号：CN201853736U

代 理 人：余锦曦

代理机构：重庆市前沿专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型公开了一种可控LED，包括硅基底层、第一电极和第二电极，其特征在于：所述硅基底层的上端面生成有衬底，该衬底的上端面设置所述第一电极和第二电极，所述衬底的上端面还设置有CVD生长纳米条，该CVD生长纳米条的一端连接所述第一电极，CVD生长纳米条的另一端连接所述第二电极，所述第一电极和第二电极上分别连接有LED管脚；所述第一电极和第二电极之间的衬底和CVD生长纳米条上还覆盖有氧化铝层；所述氧化铝层上生成有第一控制脚和第二控制脚。其显著效果是：能够生成纳米尺度的激光和单光子光源，可产生与目前光纤网络广泛使用的光波一致的光。

主 权 项：1.一种可控LED，包括硅基底层（1）、第一电极（3a）和第二电极（3b），其特征在于：所述硅基底层（1）的上端面生成有衬底（2），该衬底（2）的上端面设置所述第一电极（3a）和第二电极（3b），所述衬底（2）的上端面还设置有CVD生长纳米条（4），该CVD生长纳米条（4）的一端连接所述第一电极（3a），CVD生长纳米条（4）的另一端连接所述第二电极（3b），所述第一电极（3a）和第二电极（3b）上分别连接有LED管脚（5）；所述第一电极（3a）和第二电极（3b）之间的衬底（2）和CVD生长纳米条（4）上还覆盖有氧化铝层（6）；所述氧化铝层（6）上生成有第一控制脚（7a）和第二控制脚（7b）。

关 键 词：电极  生长纳米  衬底 上端面  硅基底层  氧化铝层  连接  光纤网络 光子光源  纳米尺度  光波 覆盖有  激光  

IPC专利分类号：H01L33/38(20100101);H01L33/14(20100101)