文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201320115652.0

申 请 日：20130313

发 明 人：李鸿渐 李盼盼 李志聪 孙一军 王国宏

申 请 人：扬州中科半导体照明有限公司

申请人地址：225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

公 开 日：20130911

公 开 号：CN203192831U

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，涉及一种应用在高亮度GaN基绿光LED中的P型GaN的生长技术领域。包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成。采用以上结构的P型GaN应用于高亮度GaN基绿光LED生长，20mil*40mil的520nm的绿光芯片在120mA下COW的亮度达到75mW，封装后外量子效率达到31%，达到国内领先水平。同时20mil*40mil抗静电特性提高到8000V以上。

主 权 项：1.具有P型GaN的GaN基绿光LED中的外延生长结构，包括依次生长在衬底上的GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、InGaN/GaN多量子阱有源层、P型GaN和InGaN 电流隧穿层，其特征在于所述P型GaN由低温P型GaN空穴注入层、P型Al(In)GaN 电子阻挡层和P型GaN空穴活化层组成，所述低温P型GaN空穴注入层生长在InGaN/GaN多量子阱有源层上，P型Al(In)GaN 电子阻挡层生长在低温P型GaN空穴注入层上，P型GaN空穴活化层生长在P型Al(In)GaN 电子阻挡层上。

关 键 词：高亮度  空穴 电子阻挡层 抗静电特性 空穴注入层 多量子阱 量子效率  生长技术  外延生长  成核层  活化层  生长  衬底  有源  电流  封装  掺杂  芯片  

IPC专利分类号：H01L33/06(20100101);H01L33/02(20100101)