文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201320747631.0

申 请 日：20131125

发 明 人：金豫浙 冯亚萍 张溢 李佳佳 李志聪 孙一军 王国宏

申 请 人：扬州中科半导体照明有限公司

申请人地址：225009 江苏省扬州市开发区临江路186号

公 开 日：20140507

公 开 号：CN203589085U

代 理 人：江平

代理机构：32106 扬州市锦江专利事务所

语　　种：中文

摘　　要：一种半导体发光二极管芯片，涉及发光二极管的生产技术领域，本实用新型在N焊盘和P焊盘下分别设有对应的图形化电流扩展层，在发光复合区都有电子复合发光，与现有技术相比增加发光复合区面积，可有效改善芯片电流分布和发光亮度；同时图形化的电流扩展能有效增加焊盘在表面的粘附力，提高芯片的可靠性。

主 权 项：1.一种发光二极管芯片，其特征在于包括在长方形基板上依次设置的N型半导体层、发光复合层和P型半导体层，在P型半导体层的中部经刻蚀裸露出的N型半导体层；长方形基板上的两侧的P型半导体层上分别设置P焊盘和N焊盘；在P焊盘和N焊盘区域外的P型半导体层上设置电流阻挡层，在电流阻挡层上设置电流扩展层； 在与P焊盘和N焊盘对应的P型半导体层上分别设置图形化电流扩展层，在图形化电流扩展层上分别设置电绝缘层；在P焊盘的背部、N焊盘的背部分别设置反射器； 在所述电流扩展层上设置至少两组图形化的P扩展电极，各P扩展电极分别与P焊盘电连接； N焊盘电连接有N扩展电极，所述N扩展电极布置且接触在裸露出的N型半导体层上，P扩展电极接触在电流扩展层上。

关 键 词：焊盘  发光 电流扩展 芯片  复合区  图形化  半导体发光二极管 发光二极管 电流分布 发光亮度 粘附力 复合  

IPC专利分类号：H01L33/62(20100101);H01L33/14(20100101);H01L33/10(20100101)