文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201520439604.6

申 请 日：20150624

发 明 人：黄伟 李海鸥 于宗光

申 请 人：无锡晶凯科技有限公司

申请人地址：214061 江苏省无锡市湖滨路655号603室

公 开 日：20151021

公 开 号：CN204720457U

代 理 人：许方

代理机构：32200 南京经纬专利商标代理有限公司

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型公开了一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性F<Sup>-</Sup>的埋层区、带负电性F<Sup>-</Sup>的终端区、SiN介质层、源极金属和漏极金属。本实用新型采用成熟的硅集成电路制造工艺研制硅基GaN纵向新器件，替代了常规的高成本P-GaN外延制造方法，故可显著降低成本；本实用新型中将硅F<Sup>-</Sup>离子工艺应用于GaN功率新器件，不但能实现增强型工作机理，更获得了类似VDMOS器件的GaN HEMT纵向器件结构，从而满足大功率功率变换的驱动应用需求。

主 权 项：1. 一种硅基GaN HEMTs纵向功率器件，其特征在于，包括第一区域和第二区域，所述第一区域与第二区域镜像对称；所述第一区域包括硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层、欧姆接触区、带负电性F-的栅极区、栅极金属、带负电性F^-的埋层区 、带负电性F^-的终端区、SiN介质层、源极金属和漏极金属；其中， 所述硅衬底、GaN外延层、AlGaN外延层依次自下而上纵向排列，欧姆接触区与带负电性F-的栅极区并排且有间隔的设置在AlGaN外延层内，欧姆接触区的下表面、带负电性F-的栅极区的下表面均与GaN外延层接触，栅极金属设置在带负电性F-的栅极区的正上方，带负电性F^-的埋层区位于GaN外延层中且紧贴GaN外延层的上表面，带负电性F^-的终端区设置在GaN外延层与AlGaN外延层中且位于带负电性F^-的埋层区的上表面，SiN介质层设置于AlGaN外延层、栅极金属、带负电性F^-的终端区的上表面，源极金属设置在除了带负电性F^-的终端区上方的SiN介质层之外的SiN介质层的上表面、欧姆接触区的上表面，漏极金属置于硅衬底的下表面。

关 键 词：第一区域  负电性  第二区域  硅基 实用  纵向功率器件  硅集成电路 欧姆接触区  工作机理  功率变换 镜像对称  漏极金属  驱动应用  源极金属  栅极金属  制造工艺  纵向器件  硅衬底  埋层区  增强型  栅极区  终端区 一种  离子  中将  替代  成熟  研制  满足  应用  公开  

IPC专利分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/20(20060101)