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专利详细信息

一种熔断器底座多极拼接结构       

文献类型:专利

专利类型:实用新型

是否失效:

是否授权:

申 请 号:CN201621143041.7

申 请 日:20161020

发 明 人:王文斌 李伟全 张磊 白文文

申 请 人:西安天水二一三电器有限公司 天水二一三电器有限公司

申请人地址:710077 陕西省西安市沣东新城昆明路西段和平工业园区副100号

公 开 日:20170412

公 开 号:CN206098331U

代 理 人:谭文琰

代理机构:61213 西安创知专利事务所

语  种:中文

摘  要:本实用新型提供了一种熔断器底座多极拼接结构,包括多个并排拼接在一起的熔断器底座,相邻熔断器底座之间通过U型连接扣连接,所述熔断器底座相对的两个侧部均开设有与所述U型连接扣的扣合端相卡合的拼接孔,多个所述熔断器底座上均开设有位置相对应的限位孔,所述限位孔内设置有用于防止相邻所述熔断器底座之间产生相对位移的限位销;多个所述熔断器底座内均安装有载熔件,多个所述载熔件上均开设有位置相对应的连接孔,所述连接孔内设置有用于相邻载熔件同步动作的连接销。本实用新型结构简单,消除了多个熔断器底座拼接不牢固以及两极之间错位配合的现象,满足熔断器多元化设计要求,并使得熔断器底座多极拼接方便、快捷、可靠。

主 权 项:1.一种熔断器底座多极拼接结构,其特征在于,包括多个并排拼接在一起的熔断器底座(1),相邻所述熔断器底座(1)的相对两侧均通过U型连接扣(2)连接,所述熔断器底座(1)上开设有与所述U型连接扣(2)的扣合端相卡合的拼接孔(8),多个所述熔断器底座(1)上均开设有位置相对应的限位孔(11),所述限位孔(11)内设置有用于防止相邻熔断器底座(1)之间产生相对位移的限位销(5);多个所述熔断器底座(1)内均安装有载熔件(4),多个所述载熔件(4)上均开设有位置相对应的连接孔(9),所述连接孔(9)内设置有用于相邻载熔件(4)之间同步动作的连接销(3)。

关 键 词:熔断器底座 拼接  本实用新型  连接孔  限位孔  载熔件 多极  错位配合  拼接结构  同步动作  相对位移  多元化  扣连接  连接销  拼接孔  熔断器 限位销  卡合  熔件  两极  

IPC专利分类号:H01H85/20(20060101)

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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