文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201621460699.0

申 请 日：20161229

发 明 人：官成钢 官小雅 高倩

申 请 人：武汉凹伟能源科技有限公司 江苏华兴激光科技有限公司

申请人地址：430070 湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷大道62号关南福星医药园2#楼24层5号

公 开 日：20170915

公 开 号：CN206497896U

代 理 人：邓寅杰

代理机构：42228 武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型涉及光电技术领域，特别是涉及一种基于GaAs材料的纵向多结单色光电池，该单色光多结电池包括：多个垂直堆叠的GaAs子电池和设于各个GaAs子电池之间的多层隧穿结；其中，每个GaAs子电池层的厚度各自不同并且都包含一个特殊设计的内部反射层；隧穿结将各个GaAs子电池依次串联起来，形成NPN...NPN的纵向多结结构。所述的单色光多结电池还能够通过合适的非成像光路设计实现更多个单色光电池的级联来实现更大功率的输出。

主 权 项：1.一种基于GaAs材料的纵向多结单色光电池，其特征在于，该单色光电池包括：多个垂直堆叠的GaAs子电池；和设于各个GaAs子电池之间的隧穿结；其中，各个子电池的材料完全相同，都包括一个反射层；各个子电池之间依靠隧穿结进行串联，形成NPN...NPN的纵向多结结构。

关 键 词：单色光 子电池  多结  电池 隧穿结  光电技术领域  本实用新型  成像光路  垂直堆叠  更大功率  依次串联  反射层  多层  级联  输出  

IPC专利分类号：H01L31/0216(20140101);H01L31/0304(20060101);H01L31/048(20140101);H01L31/055(20140101);H01L31/0725(20120101)