文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201720208903.8

申 请 日：20170227

发 明 人：李扬

申 请 人：奥肯思(北京)科技有限公司 李扬

申请人地址：100045 北京市西城区南礼士路66号建威大厦1107-1109室

公 开 日：20171013

公 开 号：CN206558498U

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型公开了一种基于抗辐照加固的芯片封装体，在芯片封装体中设计并安装上抗辐照加固材料和下抗辐照加固材料，其中，所述上抗辐照加固材料是厚度为0.3‑2MM的钽片，用于抵挡来自芯片上方的外太空高能辐射；所述下抗辐照加固材料是厚度为0.3‑2MM的钽片，用于抵挡来自芯片下方的外太空高能辐射。

主 权 项：1.一种抗辐照加固的芯片封装体，其特征在于，在芯片封装体中设计并安装上抗辐照加固材料和下抗辐照加固材料，其中，所述上抗辐照加固材料是厚度为0.3-2MM的钽片，用于抵挡来自芯片上方的外太空高能辐射；所述下抗辐照加固材料是厚度为0.3-2MM的钽片，用于抵挡来自芯片下方的外太空高能辐射。

关 键 词：抗辐照加固 芯片封装体  高能辐射 钽片  抵挡  芯片 太空 本实用新型  

IPC专利分类号：H01L23/552(20060101)