文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201821026789.8

申 请 日：20180630

发 明 人：商恩硕 李世玮

申 请 人：佛山市香港科技大学LED-FPD工程技术研究开发中心

申请人地址：528000 广东省佛山市南海区桂城街道深海路17号瀚天科技城A区7号楼三楼304单元

公 开 日：20190115

公 开 号：CN208385444U

代 理 人：肖平安

代理机构：11350 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型公开了一种大功率倒装LED封装结构，其铜锡电极之间紧密排列且铜锡电极之间间距≤0.3mm，具有很好的散热特性，无论底部填充物中是否加入高热导特性颗粒，散热特性都不会受影响；铜锡电极之间位于倒装芯片键合层下方填充有低粘度高透明度的底部填充材料，可加快制造效率、减少出光损失、为铜锡电极与倒装芯片键合层的连接提供有效机械保护、避免其连接处在高温下因热膨胀系数不匹配产生断裂和失效，同时低粘度高透明度的底部填充材料的热导高于空气，散热特性会高于不加填充材料的封装结构；具有制造效率高、生产成本低、在实现大功率倒装LED封装低热阻和电极连接可靠性强的同时不会影响大功率倒装LED出光效率的特点。

主 权 项：1.一种大功率倒装LED封装结构，包括倒装芯片发光层(1)、倒装芯片键合层(2)、铜锡电极(3)和硅基板(4)，铜锡电极(3)的锡电极部(31)通过倒装芯片键合层(2)和倒装芯片发光层(1)连接，铜锡电极(3)的铜电极部(32)和硅基板(4)连接，其特征在于：所述铜锡电极(3)之间紧密排列且铜锡电极(3)之间的间距≤0.3mm，铜锡电极(3)之间位于倒装芯片键合层(2)的下方填充有低粘度高透明度的底部填充材料(5)，倒装芯片发光层(1)、倒装芯片键合层(2)、铜锡电极(3)、硅基板(4)和底部填充材料(5)作为一个整体进行封装。

关 键 词：电极  铜锡  散热特性  倒装 倒装芯片键合  底部填充材料 高透明度 低粘度  本实用新型  底部填充物  热膨胀系数  生产成本低  出光效率  电极连接  封装结构 紧密排列  连接提供  填充材料  有效机械  低热阻 光损失  高热  热导  填充  匹配  制造  断裂  

IPC专利分类号：H01L33/48(20100101);H01L33/62(20100101);H01L33/54(20100101);H01L33/64(20100101)