文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201920555278.3

申 请 日：20190423

发 明 人：崔铮 张克栋 刘福星 余飞 陈晓越 袁伟 李亚邦 常晓远

申 请 人：苏州纳格光电科技有限公司

申请人地址：215000 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4楼109室

公 开 日：20200414

公 开 号：CN210322871U

代 理 人：杨林洁

代理机构：32235 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型提供了一种热线型气体传感器芯片，包括：硅基底，包括相对设置的第一表面及第二表面；所述硅基底包括中心加热区及外围支撑区，所述中心加热区包括贯穿所述第一表面以及所述第二表面的空气绝热腔；加热电阻膜，设于第一表面上；加热电极，设于所述第一表面上并部分覆盖所述加热电阻膜；功能层，设于所述加热电阻膜上方并位于所述中心加热区，所述功能层为气体敏感层或环境补偿层。本实用新型公开的热线型气体传感器芯片，传感器及传感器的制作方法，通过在硅基底上设置加热电极，加热电阻膜及功能层，并将功能层设为气体敏感层或环境补偿层，可制作具有不同功能层的热线型传感器芯片，从而可工业化制作热线型气体传感器芯片。

主 权 项：1.一种热线型气体传感器芯片，其特征在于，包括：硅基底，包括相对设置的第一表面及第二表面；所述硅基底包括中心加热区及外围支撑区，所述中心加热区包括贯穿所述第一表面以及所述第二表面的空气绝热腔；加热电阻膜，设于第一表面上；加热电极，设于所述第一表面上并部分覆盖所述加热电阻膜；功能层，设于所述加热电阻膜上方并位于所述中心加热区，所述功能层为气体敏感层或环境补偿层。

关 键 词：功能层  加热电阻膜  第一表面  气体传感器芯片  中心加热区  硅基 热线 本实用新型  气体敏感层  第二表面  环境补偿 加热电极  传感器 制作  传感器芯片 空气绝热  相对设置  支撑区  外围  贯穿  覆盖  

IPC专利分类号：G01N27/12(20060101)