文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN201922047680.3

申 请 日：20191125

发 明 人：王岩 罗帅 季海铭

申 请 人：江苏华兴激光科技有限公司 武汉凹伟能源科技有限公司

申请人地址：221300 江苏省徐州市邳州市邳州经济开发区辽河西路北侧、华山北路西侧

公 开 日：20200512

公 开 号：CN210517326U

代 理 人：邓寅杰

代理机构：42228 武汉今天智汇专利代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：本实用新型涉及光子光电子器件设计、制作领域，尤其涉及一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器，其特征在于，高阶模选择抑制型垂直面发射激光器包括由下至上依次设置的N电极层、衬底、下布拉格反射层和发光单元圆台，发光单元圆台随机均匀分布于下布拉格反射层上构成随机单元阵列，相邻两发光单元圆台之间设有间隙；发光单元圆台包括由下至上依次设置的有源区、氧化限制层、上布拉格反射层、接触层、透明介质层，透明介质层具有不同刻蚀图案形成了高阶模选择抑制结构，高阶模选择抑制结构刻蚀图案的刻蚀深度满足四分之一波长相位相消条件。本实用新型实现高阶模抑制，保证光输出效率不受影响，稳定性强。

主 权 项：1.一种高阶模选择抑制型垂直面发射激光器，其特征在于：包括N电极层；衬底，设于N电极层上；下布拉格反射层，设于衬底上；发光单元圆台，随机均匀分布于下布拉格反射层上构成随机单元阵列，相邻两发光单元圆台之间设有间隙；其中，发光单元圆台包括：有源区，设于下布拉格反射层上；氧化限制层，设于下布拉格反射层上，其中心设有氧化孔径；上布拉格反射层，设于氧化限制层上；接触层，设于上布拉格反射层上；P电极层，设于接触层上；透明介质层，设于接触层上；透明介质层具有不同刻蚀图案形成了高阶模选择抑制结构，高阶模选择抑制结构刻蚀图案的刻蚀深度满足四分之一波长相位相消条件。

关 键 词：高阶模 发光单元  圆台  布拉格反射层  本实用新型  垂直面发射  透明介质层  刻蚀图案  依次设置  抑制结构  激光器 抑制型  四分之一波长  光电子器件 光输出效率  氧化限制层  随机单元  稳定性强  接触层  光子  衬底  刻蚀 源区  制作  保证  

IPC专利分类号：H01S5/065(20060101);H01S5/40(20060101);H01S5/42(20060101)