文献类型：专利

专利类型：实用新型

是否失效：否

是否授权：否

申 请 号：CN202122757702.2

申 请 日：20211111

发 明 人：张文文 吴迪 王毅

申 请 人：扬州扬杰电子科技股份有限公司

申请人地址：225008 江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期

公 开 日：20220311

公 开 号：CN216015373U

代 理 人：郭翔

代理机构：32283 扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)

语　　种：中文

摘　　要：一种瞬态抑制二极管，涉及半导体制造技术领域。包括依次连接的第一掺杂层和介质层；还包括若干掺杂沟槽区与隔离沟槽区；隔离沟槽区位于第一掺杂层内，向第一掺杂层的衬底方向延伸；若干掺杂沟槽区分别间隔设置在隔离沟槽区内，通过隔离沟槽区隔离。本案通过掺杂沟槽区的结构改进，从而提高同等芯片尺寸下掺杂沟槽区侧壁面积的利用率，提高瞬态电压抑制二极管的浪涌防护能力，降低瞬态电压抑制二极管的钳位电压。

主 权 项：1.一种瞬态抑制二极管，包括依次连接的第一掺杂层和介质层；其特征在于，还包括若干掺杂沟槽区与隔离沟槽区；所述隔离沟槽区位于所述第一掺杂层内，向所述第一掺杂层的衬底方向延伸；若干所述掺杂沟槽区分别间隔设置在所述隔离沟槽区内，通过所述隔离沟槽区隔离。

关 键 词：隔离沟槽 沟槽区  掺杂层  掺杂 瞬态电压抑制二极管  半导体制造技术 瞬态抑制二极管 衬底方向  间隔设置  结构改进  浪涌防护 钳位电压  依次连接  介质层  侧壁  隔离  芯片  延伸  

IPC专利分类号：H01L29/861(20060101);H01L29/06(20060101)