会议论文详细信息
等离子体增强热丝化学气相沉积法生长c-BN薄膜
文献类型：会议
作者单位：浙江大学中心实验室,310028
基 金：浙江省自然科学基金(596030)
会议文献：华东三省一市第三届真空学术交流会论文集
会议名称：华东三省一市第三届真空学术交流会
会议日期：20000601
会议地点：江苏金坛
主办单位：中国真空学会,江苏省真空学会,安徽省真空学会,浙江省真空学会,上海市真空学会
出版日期：20000600
学会名称：江苏省真空学会
语 种：中文
摘 要：本文用射频等离子体增强热丝化学气相沉积(RD-HFCVD)技术在Ni衬底表面合成了c-BN膜，实践证明，热丝温度Tf、衬底温度Ts、是影响薄膜质量的主要因素。
关 键 词：C-BN 薄膜 气相沉积法 等离子体 热丝温度 衬底温度
分 类 号：TB43]
参考文献：
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引证文献：
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同被引文献：
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