文献类型：会议

作　　者：金硕

作者单位：四川大学材料科学与工程学院太阳能材料与器件研究所,四川610064

会议文献：第13届中国光伏大会论文集

会议名称：第13届中国光伏大会

会议日期：20130905

会议地点：北京

主办单位：中国可再生能源学会

出版日期：20130905

语　　种：中文

摘　　要：使用真空共蒸发法沉积了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,在气相ZnCl2源气氛下进行了不同温度、不同时间、不同过程的退火处理,并对样品进行了XRF、SEM、透过谱、导电类型等性质测试。结果表明,使用ZnCl2源一步退火后样品禁带宽度无显著减小,但膜面受破坏显著,退火温度对样品导电类型及各元素比例有重要影响。使用ZnCl2源两步退火可得到膜面完整、晶粒显著增大、禁带宽度无明显减小的Cd1-xZnxTe薄膜样品,退火温度及ZnCl2量对膜面形貌及电学性质有重要影响。使用气相ZnCl2源在320蒸源0min,再在380或440条件下退火lOmin是Cd1-xZnxTe多晶薄膜较优的退火条件。

关 键 词：Cd1-xZnxTe薄膜  太阳电池 退火 ZNCL2

分 类 号：TN3] TB3