文献类型：会议

作　　者：林东生 周辉 关颖 肖志刚 张宏 韩福斌

作者单位：核技术研究所(西安)

会议文献：第九届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集

会议名称：第九届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议日期：19980921

会议地点：大连

主办单位：中国电子学会,中国核学会

出版单位：中国电子学会

出版日期：19980900

出 版 地：北京

语　　种：中文

摘　　要：核技术和空间技术的发展，应用在核辐射环境中的电子元器件特别是半导体和微电子器件越来越多，因此研究元器件和电子线器的X射线效应具有重要意义。作者在DPF200(Densty Plasma Faclty)等离子体焦点装置脉冲X射线源上对整流二极管、三极管和电路进行了辐照效应实验，发现各种二极管和三极管的X射线剂量率响应分别约为10<'-12>和10<-14>As/rad量级，并发现部分器件在较低的累积总剂量下已失效。

关 键 词：X射线效应  元器件 晶体管 光电流

分 类 号：O434.14] TN32