会议论文详细信息
单空位缺陷扶手椅型二硫化钼纳米带电子结构与性质研究
文献类型：会议
作者单位：中国石油大学(北京)理学院表面物理实验室,北京,102249
会议名称：第十二届全国量子化学会议
会议日期：20140612
会议地点：太原
主办单位：中国化学会
出版日期：20140612
语 种：中文
摘 要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法，研究了单硫空位缺陷[1]扶手椅型二硫化钼纳米带[2](AMoS2NR)的电子结构与性质。研究发现：完整的AMoS2NR 是具有一定带隙的半导体带；引入硫空位后，纳米带的带隙减小，减小程度因缺陷位置不同而不同。同时，空位缺陷AMoS2NR 边缘上的Mo 原子向纳米带内侧收缩加剧，且在有空位的半层Mo-S键长缩短，键角减小。
关 键 词：扶手椅型二硫化钼纳米带 空位缺陷 电子结构 第一性原理
分 类 号：O48[物理学类] TL8]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
