文献类型：期刊文章

作　　者：卢红亮[1] 马宏平[1] 袁光杰[2] 张卫[1]

LU Hongliang;MAHongping;YUAN Guangjie;ZHANGWei(State Key Laboratory of ASICs and Systems,School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200433,China;School of Mechanical Engineering and Automation,Shanghai University,Shanghai 200444,China)

机构地区：[1]复旦大学微电子学院专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433 [2]上海大学机电工程与自动化学院,上海200444

出　　处：《微纳电子与智能制造》

基　　金：国家自然科学基金(U1632121,51861135105,61874034)项目资助.

年　　份：2019

卷　　号：0

期　　号：1

起止页码：47-56

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：随着现在集成电路技术的不断发展,构成芯片的核心器件尺寸在不断地缩小,芯片的加工制造变得越来越精细。主要综述了有望在纳米级芯片器件加工过程中发挥关键作用的原子层刻蚀(ALE)技术最近几年来的研究进展。首先介绍了晶体管尺寸进一步缩小后,在刻蚀材料的选择性和物理化学反应的原子级控制方面面临的主要挑战;接着对ALE技术的基本原理进行了详细介绍;进一步重点概括了ALE技术在应用于微电子器件中的半导体薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜、金属薄膜的国内外研究成果。此外,还介绍了ALE技术应用在新型二维材料方面的进展情况。

关 键 词：原子层刻蚀  纳米级 集成电路 晶体管

分 类 号：TN40] TN386