文献类型：期刊文章

作　　者：陈志忠[1,2,3] 康香宁[1] 陈伟华[1] 席鑫[1] 焦飞[1] 王琦[2] 张国义[1,2] 沈波[1,3]

CHEN Zhizhong;KANG Xiangning;CHEN Weihua;XI Xin;JIAO Fei;WANG Qi;ZHANG Guoyi;SHEN Bo(School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;Dongguan Institute of Optoelectronics,Peking University,Dongguan 523808,China;Yangtze Delta Institute of Optoelectronics,Peking University,Nantong 226000,China)

机构地区：[1]北京大学物理学院,北京100871 [2]北京大学东莞光电研究院,东莞523808 [3]北京大学长三角光电研究院,南通226000

出　　处：《微纳电子与智能制造》

基　　金：国家自然科学基金(62174004);国家重点研发计划(2021YFB3600103);广东省基础与应用基础研究基金(2020B151520020)项目资助

年　　份：2021

卷　　号：3

期　　号：3

起止页码：8-22

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：微米LED(Micro-LED)是指尺寸在50μm以下,去除外延衬底的LED,相比目前的LCD,OLED显示具有高亮度、高分辨率,低能耗等优势。本文首先介绍了Micro-LED外延和芯片制备中存在的主要问题。接着使用ABC模型以及载流子泄露模型分析了小电流密度下的Micro-LED外量子效率低的原因,给出了目前国际上解决这一问题的主要技术途径。在Micro-LED外延技术上重点介绍了NPSS外延Micro-LED的优势以及目前NPSS的制备、外延GaN的进展情况。在芯片制备上,则介绍了Micro-LED微纳出光结构,多芯片的高色域混光技术,AlInGaP红光,氮化物红光以及量子点激发的红光路线。最后讨论了Micro-LED外延和芯片当前的现状和未来的发展趋势。

关 键 词：微米LED  显示  外延  芯片  外量子效率 注入电流密度  红光LED

分 类 号：TN312.8] TN40