文献类型：期刊文章

作　　者：吴锋[1]

WU Feng(Jiangsu Xinhua Semiconductor Material Technology Co.,Ltd.,Xuzhou 221004,China)

机构地区：[1]江苏鑫华半导体材料科技有限公司,徐州221004

出　　处：《当代化工》

基　　金：江苏省重点研发计划(产业前瞻与共性关键技术),大规模集成电路用硅料生产工艺研发(项目编号:BE2018060)

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：12

起止页码：2814-2817

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：随着集成电路产业近年来的高速发展,对可用于12寸晶圆的高纯电子级多晶硅的需求不断提升,但是国内少数厂家仅能进入中低端市场,在高端领域始终被国外技术垄断。多晶硅主流的生产工艺是改良西门子法,其核心工序为化学气相沉积,配方、流场和温场分布、硅棒温度等因素对产品能物耗和质量影响。二氯二氢硅作为辅助原料,可提高沉积速率,降低生产能耗和物耗。通过对原料中二氯二氢硅进行独立控制,研究发现二氯二氢硅在气相沉积的不同时期,对于效率提升和产品纯度的增益比例有明显差异,在10%~13%的区间内会形成拐点,实验结果显示二氯二氢硅在前期和中前期应控制在10%,中后期降低至5%~7%,可获得较好的结果。

关 键 词：电子级多晶硅  化学气相沉积 二氯二氢硅

分 类 号：TQ127.2] TN43]