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数据库收录=北大核心
机构=武汉大学物理科学与技术学院

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前驱体中Bi含量对Bi3．4Ce0．6Ti3O12薄膜结构和性能的影响: 1; 《中国科学（E辑）》武汉理工大学材料科学与工程学院;重庆科技学院机械工程学院;武汉大学物理科学与技术学院付承菊黄志雄李杰郭冬云出版年：2009; 湖北省自然科学基金资助项目(批准号:2007ABA309); 分别配制了Bi含量为90,100和110mole%的前驱体,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜,研究前驱体中Bi含量对其微观结构和铁电性能的影响.前驱体中Bi含量增加可以有效地改善...; 关键词：铁电性能 Bi3.4Ce0.6Ti3O12薄膜 Sol—gel法 Bi含量

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